Введение
ГЛАВА 1. Влияние радиационного воздействия на структуры Si-SiC>2 (литературный обзор) 9
1.1. Природа дефектов в системе кремний - двуокись кремния 9
1.2. Воздействие ионизирующих излучений на кремниевые структуры металл-диэлектрик-полупроводник 17
1.3. Радиационная технология 31
ГЛАВА 2. Модель накопления и релаксации радиационно-индуцированного заряда 53
2.1. Физичекое описние модели 54
2.2. Математичекое описание модели 63
2.3. Анализ процессов накопления радиационно-индуцированного заряда в диэлектрике МДП-структуры 77
2.4. Термическая и туннельная разрядка 104
ГЛАВА 3. Радиационный токоперенос 110
3.1. Токоперенос под воздействием рентгеновского излучения 110
3.2. Токопренос под воздействием УФ-излучения 116
ГЛАВА 4. Моделирование радиационной технологии 126
4.1. Моделирование базового процесса рентгеновской корректировки порогового напряжения 127
4.2. Комбинирование радиационного и термического воздействий 133
4.3. Моделирование технологических процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений 137
Заключение 143
Список литературы
