Введение
ГЛАВА I. Радиационные дефекты в структурах металл диэлектрик-полупроводник и методы их исследования 10
I. 1. Радиационное дефектообразование в МДП-структурах на основе кремния и арсенида галлия 10
1.2. Стационарные методы исследования параметров МДП-структур 21
I.3. Нестационарные методы исследования параметров МДП- структур 30
I. 4. Методы исследования пространственного распределения объёмного заряда в диэлектрических слоях МДП-структур 39
ГЛАВА II. Исследование радиационных и электро магнитных воздействий на спектр глубоких уровней полупроводников 46
II. 1. Автоматизированный DLTS-спектрометр 46
II. 2. Эффект радиационной аннигиляции дефектов в диодах Шоттки на кремнии и арсениде галлия 65
II. 3. Воздействие импульсных магнитных полей на спектр глубоких уровней кристаллов арсенида галлия 69
ГЛАВА III. Исследование воздействии ионизирующих из лучений на структуры металл-диэлектрик полупроводник 76
III. 1. Автоматизированный комплекс для исследования радиационных дефектов в тестовых структурах МДП интегральных схем 76
III. 2. Исследование радиационного дефектообразования в МДП структурах 84
III.3. Эффект образования внеэлектродного инверсионного слоя в облученных МДП-структурах 97
ГЛАВА IV. Исследование пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике мдп-структуры по токам внутренней фотоэмиссии 110
IV. 1. Методика определения пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике МДП-структуры 110
IV. 2. Автоматизированная установка для фотоэмиссионных исследований в МДП-структурах 116
IV. 3. Экспериментальное определение пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике МДП-структуры 126
Выводы к главе IV 129
Заключение 131
Список использованных источников 133
