Введение
Глава 1. Литературный обзор. Образование радиационных наруше-ний в твердых кристаллических телах при облучении
1.1 Введение 13
1.2 Пороговая энергия образования радиационных дефектов 14
1.3 Первычные эффектные смещения атомов в узлах при электронном облучении 15
1.4 Деффекты смещения атомов в узлах при гамма-облучении 17
1.5 Возбуждение неравновесных электронов и дырок при облучении . 18
1.6 Возникновение тока ионизации в двухслойной структуре (p-n переходе) 20
1.7 Радиационные эффекты в полупроводниках при облучении их малыми дозами облучения 22
1.8 Влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые изделия 24
Заключение 47
Глава 2. Поверхностные радиационные явления в полупроводниковых структурах
2.1 Поверхностные радиационные эффекты в полупроводниковых структурах 48
2.2 Деградационные эффекты в облученных структурах 58
2.3 Поверхностные радиационные явления в структурах с инжекционным питанием 62
2.4 Вторичные ионизационные эффекты в полупроводниковых структурах 63
Заключение 82
Глава 3. Использование ионизирующего излучения в технологии полупроводниковых структур и изделий
3.1 Влияние облучения на биполярные интегральные микросхемы 83
3.2 Влияние радиации на интегральные микросхемы ТТЛ и ТТЛШ -типа 85
3.3 Влияние облучения на интегральные микросхемы И2Л 87
3.4 Изменение параметров аналоговых микросхем под действием радиации 94
3.5 Воздействие импульсного облучения на микросхемы 99
3.6 Влияние импульсной радиации на МДП интегральных микросхем 101
Заключение 109
Глава 4. Эффекты защелкивания в полупроводниковых структурах и изделиях в поле дестабилизирую-щих факторов
4.1 Эффекты защелкивания в полупроводниковых структурах 1 11
4.2 Основные предпосылки эффекта защелкивания в интегральных микросхемах 115
4.3 Эффекты защлкивания в полупроводниковых структурах различных типов 116
4.4 Влияние электрического режима полупроводниковых структур на эффект защелкивания 121
4.5 Влияние и уровни внешних дестабилизируюших воздействий на ИМС 127
4.6 Электрическое защелкивание в полупроводниковых струк турах 131
4.7 Моделированние эффектов защелкивания 136
4.8 Электрические эквивалентные схемы для анализа эффекта защлкивания 137
4.9 Аналитические методы расчета параметров элементов эквивалентных схем (эс) 148
4.10 Экспериментальные методы возбуждения защелкивания в полупроводниковых структурах 155
4.11 Выявление слабых мест полупроводниковых структур при защелкивании 159
4.12 Аттестационные испытания полупроводниковых структур на защелкивание 163
4.13 Радиационное защлкивание в биполярных микросхемах 169
4.14 Радиационное защлкивание в микросхемах на униполярных транзисторах 173
Заключение 177
Глава 5. Моделирование работы полупроводниковых структур при внешних воздействиях
5.1 Физические проблемы моделирования воздействия облучения лазером в широком диапазоне температур 179
5.2 Экпериментальные методы исследования воздействия лазерного излучения на полупроводниковые структуры 183
5.3 Температурные исследования параметров моделей физического уровня 191
Заключение 203
Общее заключение 203
Выводы 207
Литература 209
