Введение
ГЛАВА 1. Методы исследования электронных процессов в структурах металл-оксид-полупроводник 10
1.1. Основные механизмы токопереноса в МОП структурах 10
1.1.1. Токи, ограниченные пространственным зарядом (ТОПЗ) 11
1.1.2. Эмиссия Шоттки 23
1.1.3. Эффект Пула-Френкеля 28
1.1.4. Туннельное прохождение электронов 31
1.1.5. Примесная (прыжковая) проводимость 32
1.2. Исследование МОП структур на переменном токе 33
1.2.1. Основные понятия теории комплексной диэлектрической проницаемости 33
1.3. Физические основы метода высокочастотных вольтфарад ных характеристик МДП структур- 40
1.3.1. Физическая модель поверхности полупроводника и области пространственного заряда 41
1.3.2. Электронные свойства структур металл-диэлектрикполупроводник- 48
ГЛАВА 2. Кремниевые моп структуры с нанокристаллическими пленками оксида цинка . 57
2.1. Общая характеристика и основные физические свойства тонких пленок оксида цинка 57
2.2. Методика эксперимента 60
2.3. Результаты и их обсуждение 63
2.4. Выводы 68
ГЛАВА 3. Кремниевые моп структуры с нанокристаллическими пленками триоксида вольфрама 70
3.1. Структурно-энергетические основы функциональных применений аморфных пленок триоксида вольфрама (а- W03) 70
3.1.1. Ближний атомный порядок в пленках я-\УОз и его изменение в процессах окрашивания, абсорбции и "старения" 71
3.1.2. Электронная структура и зарядовые состояния пленок триоксида вольфрама и гетероструктур Si/a-WOi 74
3.2. Влияние адсорбции паров воды на электрофизические характеристики МОП структур с пленками a-WO?, 80
3.2.1. Методика эксперимента 81
3.2.2. Полученные результаты и их обсуждение 82
3.3. Фазо- и дефектообразование в процессе оксидирования тонких пленок вольфрама на кремнии 88
3.4. Выводы 93
ГЛАВА 4. Структуры мдм с нанокристаллическими пленками оксида алюминия 94
4.1. Анодные оксидные пленки на поверхности алюминия 94
4.2. Методика эксперимента 99
4.3. Результаты эксперимента и их обсуждение 103
4.4. Выводы 108
Основные результаты и выводы 109
Литература 112
