Введение
Глава I. Высокоомный полупроводник (сурик) 12
1.1. Общие сведения о сурике и методы его получения 12
1.2. Электрические свойства г6Д 14
1.3. Поглощение света и фотоэлектрические свойства 25
Выводы к главе I. Оценка параметров
свете требований, предъявляемых к электрофотографи ческим слоям 37
Глава II. Методика получения диспергированных электрофото графических слоев г ОзЦ и измерений в электро фотографическом режиме. Создание слоев оптималь ной структуры 40
2.1. Получение диспергированных слоев и таблеток нанесение диэлектрических пленок 41
2.2. Методика измерений электрофотографических параметров слоев 46
2.3. Зависимость параметров ЭФС ГО3Ц от технологии их изготовления. Получение высокочувствительных слоев 52
Выводы к главе П 62
Глава III Спектр локальных состояний и механизм темновой разрядки ЭФС г03 63
3.1. Энергия активации локальных состояний ЭФС
3.2. Механизм темновой разрядки электрофотографических слоев на основе .. 72
Выводы к главе 84
Глава ІV. Особенности фоторазрядки слоев 86
4.1. Квантовая эффективность и абсолютный квантовый выход фоторазрядки слоев
4.2. Анализ моделей фоторазрядки электрофотографических слоев и механизм световой релаксации поверхностного потенциала ЭФС гОд [)4 93
Выводы к главе ІУ НО
Глава V. Электрофотографические свойства полифазных окисно-свинцовых слоев 112
5.1. Темновые характеристики полифазных ЭФС 112
5.2. Особенности фоточувствительности полифазных ЭФС 116
5.3. Зависимость параметров окисносвинпрвых ЭФС от
режима их эксплуатации 125
Выводы к главе У 135
Выводы к диссертации 137
Литература
