Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)

Кашерининов, Петр Георгиевич. Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI) : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Кашерининов Петр Георгиевич; [Место защиты: Физико-технический институт РАН].- Санкт-Петербург, 2011.- 139 с.: ил.
Автор
Кашерининов, Петр Георгиевич
Год
2011

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов
99 000 UZS
Автор
Карзанова, Мария Вадимовна
Количество страниц
Год
2013
Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
99 000 UZS
Автор
Пчелинцева, Екатерина Сергеевна
Количество страниц
Год
2011
Исследование особенностей проявления дисперсионных сил в наноразмерных слоистых структурах на основе кремния
99 000 UZS
Автор
Юрова, Валентина Александровна
Количество страниц
Год
2013
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
99 000 UZS
Автор
Жмерик, Валентин Николаевич
Количество страниц
Год
2012
Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной КМОП технологии электрофизическими методами
99 000 UZS
Автор
Орешков, Максим Викторович
Количество страниц
Год
2012
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3