Введение
1. Анализ экспериментальных и теоретических данных, связанныех с исследованиями сверхпроводящих свойств втсп и прогрессивными методами их изготовления 17
1.1 Методы измерений критической плотности тока в ВТСП, её зависимость от других параметров 18
1.2 Критическая плотность тока поликристаллических и расплавных ВТСП, принципы их изготовления 37
1.3 Вольтамперные характеристики поликристаллических ВТСП 50
2. Экспериментальные методы изучения электрофизических свойств вещества втсп - экранов / магнитного поля 54
2.1 Общие сведения о сверхпроводящих экранах магнитного поля 54
2.2 Взаимодействие ВТСП - экрана с внешним магнитным полем, измерения с помощью феррозондового датчика 57
2.3 Свойства вещества ВТСП - экрана и его взаимодействие с внешним магнитным полем, измерения с помощью ВТСП-СКВИДа 61
2.4. Динамика проникновения магнитного поля в вещество ВТСП - экрана, джозефсоновская глубина проникновения и первое критическое джозефсоновское поле 71
2.5 Взаимодействие магнитного поля с веществом ВТСП - экрана, исследование с помощью измерений магнитного шума 74
2.6 Механизмы взаимодействия магнитного поля (абрикосовских вихрей) с веществом ВТСП - экрана, объясняющие происхождение и свойства магнитных шумов 84
2.7 Аномальное поведение замороженного магнитного поля и его шума в ВТСП - экране 92
3. Физические основы технологии и конструкций высокоэффективных втсп - экранов и их приложения 97
3.1 Оптимизация технологии изготовления ВТСП - экранов составов УВа2Сщ07.5, Bi2Sr2Ca2Cu30%+y 98
3.2 Анизотропия плотности критического тока в экране, синтезированном при вращении в градиентном температурном поле 111
3.3 Влияние составного ВТСП - экрана на внешнее магнитное поле 117
3.4 Индуктивный токоограничитель с составным ВТСП-экраном 129
3.5 Составной ВТСП - экран на основе колец с толстопленочным покрытием 143
3.6 Способ получения магнитного вакуума с помощью ВТСП-экрана 146
4. Бесконтактные исследования сверхпроводящихсвойств втсп сложных форм 148
4.1 Бесконтактное исследование сверхпроводящих свойств ВТСП-колец 149
4.2. Эмпирическое соотношение между СП - параметрами поликристаллического ВТСП и джозефсоновской глубиной проникновения 159
4.3 «Невосприимчивость» двухсвязного сверхпроводника (кольца) в критическом состоянии к закону сохранения магнитного потока 167
4.4 Описание эксперимента, технические данные, результаты измерений 170
4.5 Бесконтактный метод измерения ВАХ ВТСП - кольца, эмпирическая формула для ВАХ 173
4.6 Реакция односвязного ВТСП (пластины) на постоянное, потенциальное электрическое поле, когерентные колебания s-электронов 180
4.7 Влияние термоциклирования на критический ток ВТСП 194
5. Некоторые электрофизические свойства толстоплёночных втсп - покрытии и их подложек 198
5.1 Изготовление исследуемых образцов - подложек и толстых плёнок 199
5.2 Распределение критического тока по толщине покрытия 206
5.3 Аномальное распределение серебра в композитной MgO + Ag20- подложке, влияние серебра в подложке на плотность критического тока 209
Заключение 225
