Введение
ГЛАВА 1. Адмиттанс и ёмкость полупроводниковых гетероструктур
1.1 Модели адмиттанса поверхностных локализованных состояний в полупроводниковых гетероструктурах
1.2 Применение барьера Шоттки к исследованию глубоких примесных уровней и поверхностных свойств полупроводников
1.3 Механизмы токопрохождения в полевых гетероструктурах
1.4 Зависимость уровня Ферми от температуры в полупроводнике, при наличии локальных глубоколежащих энергетических уровней
Цели и задачи
ГЛАВА 2. Технология получения и характеризация полупроводниковых структур мп п в системе A2III B3VI -AIIIBV
2.1. Общие требования к параметрам слоев широкозонных полупроводников типа A2IIIB3VI
2.2. Методы подготовки подложек InAs и формирование слоев полупроводниковых соединений типа A2III B
2.3 Гетеровалентное замещение в системе InAs – Te
2.4 Осаждение пленок соединений In2Te3 и In2xGa2(1-x)Te3 испарением из независимых источников .
Выводы
ГЛАВА 3. Электронные явления в полевых гетероструктурах Ме/A2IIIB3VI/Si и Ме/ A2IIIB3VI/InAs
3.1 Влияние металла на поверхностные электронные состояния в гетероструктурах Ме/Ga2Se3/(SiOx)Si
3.2 Механизмы токопрохождения в гетероструктурах Al/In2Te3/InAs и Al/In2xGa2(1-x)Te3/InAs
3.3. Вольт-фарадные характеристики гетероструктур Al/In2Te3/InAs и Al/In2xGa2(1-x)Te3/InAs
ГЛАВА 4. Моделирование электрических характеристик гетероструктур на основе арсенида индия со слоями in2te3 и твердого раствора In2xGa2(1-x)Te3 (x 0.65)
4.1 Определение энергии активации ЦЛЗ в слоях Al/ In2Te3/InAs и Al/In2xGa2(1-x)Te3/InAs (x 0.65) методом частотных зависимостей дифференциальной проводимости и емкости .
4.2 Определение кинетических параметров центров локализации заряда в слоях In2Te3 и In2xGa2(1-x)Te3 (x 0.65) методом эквивалентных схем
4.3 Решение уравнения электронейтральности в гетероструктуре Al/In2Te3/InAs (n – типа) с учётом двух типов глубоких уровней в запрещённой зоне материала слоя In2Te3 Выводы Основные
