Введение
2. Развитие квантово-химического метода 12
2.1. Метод молекулярных орбиталей 14
2.2. Метод молекулярных орбиталей для замкнутой оболочки (RHF) 17
2.3. Метод ASCF для электронных возбуждений основного состояния с замкнутой оболочкой 19
2.4. Метод молекулярных орбиталей для открытой оболочки (ROHF) 22
2.5 Метод ASCF для электронных возбуждений основного состояния с открытой
оболочкой 25
2.6. Модель квазимолекулярной расширенной элементарной ячейки 29
2.6.1. Расширенные элементарные ячейки для ГЦК кристаллов 33
2.6.2. Отбор расширенной ячейки для графита 33
2.6.3. Расширенные элементарные ячейки для описания системы оборванных связей поверхности (111) алмаза и кремния 36
2.6.4. Специальные системы координат для молекулы фуллерена Сзо, ее химических производных и кристаллов 38
2.7. Открытая оболочка из МО с эквивалентными волновыми векторами 40
2.8. Параметризация 1NDO 43
3. Электронная структура бездефектных ковалентных кристаллов 46
3.1. Элементарные кристаллы: кремний и алмаз 48
3.2. Кристаллическое соединение: кубический карбид кремния 50
4. Точечные дефекты вакансионного типа 53
4.1. Вакансия в кремнии и алмазе 53
4.2. Мультиплетные структуры и дисторсии вакансии 54
4.2.1. Результаты расчетов нейтральной вакансии в кремнии и алмазе 58
4.3. Искажение реше7К.( вблизи вакансии 61
4.4. Электронная корреляция и эффект Яна-Теллера 64
4.5. Возбужденное состояние нейтральной вакансии со спином 2. 66
4.6. Мультиплетная структура открытой оболочки и эффект Яна-Теллера 68
4.6.1. Формулировка вибронной задачи для нейтральной вакансии в приближении открытой электронной оболочки 69
4.7. Барьеры миграции и переориентат и нейтральной вакансии 73
4.8. Положение выносимое на "ащиту 75
4.9. Дивакансия в кремнии 75
4.10. Мультиплетные структуры и дн^орсии дивакансии 78
4.11. Основное и возбужденные состглния дивакансии в кремнии 79
4.12. Примесно-вакансионный комплекс [Si-V] в алмазе 85
4.13. Положение выносимое на защиту Многоатомные молекулы и молекулярные кристаллы на основе фуллерена Сбо 93
5.1. Молекула Сбо и однократно заряженные ионы 95
5.2. Возбужденные состояния молекулы Сбо 98
5.3. Производные фуллерена с гидрированными и метилированными связями 104
5.4. Возбужденные состояния производных Сбо с насыщенными связями 107
5.4.1. Изомеры С60(СН3-г6-Н)з 107
5.4.2. Изомеры Сбо(СН3-г6-Н)6 108
5.5. Оптическая спектроскопия спин-сннглетных производных фуллерена с насыщенными связями 109
5.6. Спин-триплетная производная фуллерена с насыщенными связями 110
5.7. Приближение сильной связи для производных фуллерена 111
5.8. Примитивный молекулярный ГЦК кристалл Сбо 115
5.9. Примитивный ковалентный ГЦК кристалл Ceo 120
5.10. Электронные возбуждения кристалла фуллерита Сво 124
5.10.1. Низкоэнергетические электронные возбуждения в фуллерите 130
5.10.2. Фотолюминесценция фуллерита 133
5.11. Положение выносимое на защиту 136
Системы с металлическим заполнением 137
6.1. Графит 139
6.2. Двумерный графит: ковалентный диэлектрик 140
6.3. Открытая электронная оболочка трехмерного графита: конфигурации и их мультиплетные структуры 142
6.4. Электронная структура и межслоевая связь трехмерного графита 145
6.4.1. Валентные зоны трехмерного графита 147
6.4.2. Мультиплетная структура полуметаллического графита 148
6.5. Электронные мультиплетные возбуждения в полуметаллическом графите 153
6.5.1. Экспериментальное проявление в спектрах EELS кристалла 154
6.5.2. Электроньые коллективные возбуждения в кластерах трехмерного графита 156
6.6. Положение выносимое на защиту 159
6.7. Система оборванных связей идеальной поверхности (111) кремния и влмаза 160
6.8. Неэмпирическая параметризация модели Хаббарда системы оборванных связей поверхности 169
6.9. Положение выносимое на защиту 173
Заключение: перспективы развития и приложений метода открытой оболочки 175
Список использованных источников 177
Приложение 193
9.1. Площадь поверхности Ферми трехмерного графита 193
9.2. Вычислительная схема на основе уравнений движения для функций Грина 194
9.3. Таблицы характеров 198 Использованные сокращения 202
