Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs

Самойлов, Виктор Александрович. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Новосибирск, 2000.- 114 с.: ил. РГБ ОД, 61 01-1/241-3
Автор
Самойлов, Виктор Александрович
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
99 000 UZS
Автор
Мусаев, Ахмед Магомедович
Количество страниц
Год
2000
Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния
99 000 UZS
Автор
Новиков, Юрий Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Спектры элементарных возбуждений решетки кристалловгруппы In-Se, In-Te
99 000 UZS
Автор
Рущанский, Константин Золтанович
Количество страниц
Год
2000
Статика и линейная динамика магнитной системы сильноанизотропных ферримагнитных диэлектриков
99 000 UZS
Автор
Лагутин, Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
Процеси формування тонких дiелектричных та приповерхневих напiвпровiдникових шарiв у кремнiевих структурах при нерiвноважних впливах
99 000 UZS
Автор
Назаров, Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3