Электронно-дифракционный анализ структуры ближнего порядка в ионно-имплантированных слоях кремния и бора

Тишков, Владимир Станиславович. Электронно-дифракционный анализ структуры ближнего порядка в ионно-имплантированных слоях кремния и бора : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07.- Минск, 1993.- 16 с.: ил.
Автор
Тишков, Владимир Станиславович
Год

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Процессы прохождения и излучения заряженных частиц высоких энергий в ориентированных кристаллах
99 000 UZS
Автор
Хоконов, Мурат Хазреталиевич
Количество страниц
Год
Исследование электрофизических свойств структур кремний-диэлектрик с использованием автоматизированного комплекса
99 000 UZS
Автор
Хруцкий, Владимир Константинович
Количество страниц
Год
Критическая динамика структурного фазового перехода типа смещения в одноосных сегнетоэлектриках
99 000 UZS
Автор
Шитов, Геннадий Юрьевич
Количество страниц
Год
Эффект Джозефсона на искусственных межзеренных границах в пленках Y1Ba2 Cu3 O x
99 000 UZS
Автор
Цаленчук, Александр Янкелевич
Количество страниц
Год
Низкотемпературные заряженные системы в полупроводниках и полиэлектролитах
99 000 UZS
Автор
Шикина, Юлия Валериевна
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3