Введение
ГЛАВА I. Обзор литературных данных по кристаллохимии, зон ной структуре и физическим свойствам Lc/Gc^Se4 и Cc/Ga54 10
1.1. Кристаллохимия соединений CC/LPOS&W. С с/6*0,0, 10
1.2. Симметрия электронных состояний и зонная структура соединений Сс/Оо25е4 и Cc/Gc^S4 15
1.3. Оптические свойства соединений C1.4. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства Cc/Ga^Se^* Сс/^54 25
1.5. Некоторые аспекты практического применения соединений Сс/6>а,5е4 и Cc/&ct,j 32
ГЛАВА 2. Получение монокристаллов Cc/Gcz,<5e4 и Cc/Ocz,S4 и методика эксперимента 35
2.1. Синтез и выращивание монокристаллов Gc/G^Se^ bCc/>cr2Sj 35
2.2. Определение оптических постоянных и методика эксперимента 38
2.2.1. Определение оптических постоянных 38
2.2.2. Приготовление образцов для оптических измерений.. 40
2.2.3. Установка для измерения оптических спектров 41
ГЛАВА 3. Оптические спектры Cc/Gc^5e4 и Cc/GoS4 в области 2*6 эВ 46
3.1. Край собственного поглощения CaGaSe. 48
3.2. Край собственного поглощения Cc/Gc\34 58
3.3. Параметры валентной зоны Сс/Ос^Зе^ъ Gc/Gc//5 63
3.4. Оптические спектры tc/&c/Sej и Cc/&cz,54 Б глу бине собственного поглощения 69
3.5. Выводы к главе 3 80
ГЛАВА 4. Влияние температуры на электронные спектры в области края собственного поглощения Сс/&с^3е4 и Cc/Ge^Sj 81
4.1. Температурная зависимость края собственного поглощения Сс/^?<^л5е4ж CcZ&o^Sj 81
4.2. Перестройка электронного спектра 86
4.3. Выводы к главе 4 92
ГЛАВА 5. Термостимулированная проводимость и излучательная рекомбинация в монокристаллах ^C/OC^SPKCC/OCZ 93
5.1. Спектр локальных уровней в tc/Ocz,^^ 93
5.1.1. Термостимулированная проводимость 93
5.1.2. Токи ограниченные пространственными зарядами 94
5.2. Излучательная рекомбинация в 100
5.3. Излучательная рекомбинация
5.4. Выводы к главе 5 115
Основные выводы 118
Литература
