Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 x 0.6) на подложках GaAs и InP
Юзеева, Наталия Александровна. Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 x 0.6) на подложках GaAs и InP : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Юзеева Наталия Александровна; [Место защиты: Моск. гос. техн. ун-т радиотехники, электроники и автоматики].- Москва, 2013.- 120 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/565
