Введение
1. Радіїоспсктроскопическне исследования дефектов в кристаллах карбида кремния 8
1.1. Структура кристалла карбида кремния 8
1.2. Дефекты в кристаллах карбида кремния 9
1.3. Вакансии кремния 10
1.3.1. Отрицательно заряженная вакансия кремния {VsD 11
1.3.2. Нейтральная вакансия кремния (10) 11
1.4 Фрснкслсвскпепарьі 13
1.5. Вакансии углерода 13
1.5.1. Положительно заряженная вакансия углерода (Vc+)
1.5.2. Отрицательно заряженная вакансия углерода (Vc~) 16
1.6. Днвакансшг 17
1.7. Дефектные комплексы 20
1.7.1. Дефектные комплексы в кристаллах кремния 20
1.7.2. Дефектные комплексы в кристаллах карбида кремния 21
1.8. JV-Кдсфскт 22
1.8.1. Лг-1/дефект в алмазе 22
1.8.2. N-Vдефект в карбиде кремния 23
1.9. Доноры и акцепторы в кристаллах карбида кремния 25
1.10. Цели работы 27
2. Приготовление образцов и методика эксперимента 28
2.1. Приготовление образцов 28
2.1.1. Приготоплеиие образцов бН-SiC для исследования высокотемпературных дефектов 28
2.1.2. Приготовление образцов 6H-SiC и JH-SiC с измененным изотопным составом 29
2.2. Методика эксперимента 31
3. ЭПР высокотемпературных дефектов в бН-SiC 36
3.1. Экспериментальные результаты 36
3.2. Дефектные комплексы 37
3.2.1. Спектры ЭПР dc-la и cic-lb 37
3.2.2. Спектры ЭПР dc-2 и dc-3 43
3.2.3. Фоточуяствптельный спектр ЭПР dc~4 51
3.2.4. Обсуждение моделей центров dc-la, dc-lb, dc-2, dc-3 54
3.3. УУ-Кдефскт 63
4. ЭПР мелких доноров и акцепторов в кристаллах карбида кремния и кремния с измененным изотопным составом 69
4.1. Доноры азота в SiC 72
4.2. Акцепторы бора в SiC 83
4.3. Мелкие доноры фосфора и мышьяка в кремінні ^1 83
4.4. Обсуждение результатов 87
4.5. Выводы 98
Заключение 101
