Введение
Глава 1 Обзор литературы 12
1.1. Туннельный транспорт в одноэлектронных транзисторах 12
1.2. Баллистический транспорт в квантовых точечных контактах 18
1.3. Наноэлектромеханические системы на основе подвешенных наноструктур 24
Технология селективного травления 26
Наномеханические резонаторы 27
Методы возбуждения механических колебаний нанорезонаторов 34
Методы детектирования механических колебаний резонаторов 35
1.4. Электронный транспорт в подвешенных наноструктурах 37
Упругая блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе 37
Подвешенный квантовый точечный контакт 40
Глава 2 Изготовление экспериментальных образцов и методика эксперимента 43
2.1. Изготовление экспериментальных образцов 43
2.2. Оборудование для низкотемпературных измерений 47
2.3. Методика измерений 49
Глава 3 Влияние упругих напряжений на свойтсва наноэлектромеханических систем, создаваемых на основе гетероструктур gaas/algaas 52
3.1. Эйлеровская неустойчивость подвешенных наноструктур 52
Широкие нанопроволоки 53
Узкие нанопроволоки 62
3.2. Влияние механических колебаний на электронный транспорт в подвешенных наноструктурах . 65
Выводы 77
Глава 4 Туннельный транспорт в подвешенном одноэлектронном транзисторе 78
4.1. Кулоновская блокада в неподвешенном одноэлектронном транзисторе 78
4.2. Особенности электронного транспорта в подвешенном одноэлектронном транзисторе 83
Выводы 89
Глава 5 Баллистический электронный транспорт в подвешенном квантовом точечном контакте 90
5.1. Электронный транспорт в неподвешенном квантовом точечном контакте. 92
5.2. Особенности электронного транспорта в подвешенном квантовом точечном контакте 98
Выводы 110
Заключение 111
Список цитируемой литературы 117
