Введение
1 Литературный обзор 17
1.1 Баллистический электронный транспорт в наноструктурах 17
1.2 Термоэлектрические свойства наноструктур 30
2 Моделирование контактов между двумерной нано структурой и одномерными проводниками 36
2.1 Гамильтониан системы 36
2.1.1 Граничные операторы на полупрямых 39
2.1.2 Граничные операторы на двумерной поверхности 39
2.1.3 Граничные условия 41
2.2 Решение задачи рассеяния 44
2.3 Случай двух проводников 46
2.3.1 Резонансы в коэффициенте прохождения 50
2.3.2 Влияние параметров контактов 53
2.4 Основные результаты главы 56
3 Электронный транспорт в ограниченных искривлен ных наноструктурах с присоединенными проводниками 58
3.1 Квантовая сфера с двумя проводниками 59
3.2 Квантовая сфера с тремя проводниками 65
3.3 Двухтерминальное устройство с затвором в виде одномерного проводника 72
3.4 Электронный транспорт на поверхности квантового тора 74
3.5 Основные результаты главы 77
4 Электронный транспорт в квантовом цилиндре с присоединенными проводниками 80
4.1 Электронный гамильтониан и Q-функция 81
4.2 Квантовый цилиндр с одним присоединенным проводником 83
4.3 Квантовый цилиндр с двумя присоединенными проводниками 87
4.4 Влияние спина на электронный транспорт 94
4.5 Основные результаты главы 96
5 Резонансы Брейта-Вигнера и Фано в термоэдс 98
5.1 Предел низких температур 100
5.2 Случай малой ширины резонансов 102
5.3 Случай промежуточных температур 107
5.4 Основные результаты главы 110
Заключение 112
