Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
Козлов, Дмитрий Андреевич. Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Козлов Дмитрий Андреевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН].- Новосибирск, 2011.- 117 с.: ил. РГБ ОД, 61 11-1/1022
