Введение
Глава I. Литературный обзор 9
1.1.Общие сведения об электронной эмиссии из твердых тел 9
1.2. Эмиссия электронов из сегнетоэлектрических материалов. Общие закономерности 14
1.3. Фото- и термостимулированная эмиссия электронов из сегнетоэлектриков 15
1.4. Возникновение эмиссии электронов при фазовых переходах... 21
1.5. Возникновение эмиссии электронов при пьезоэлектрическом эффекте 28
1.6. Эмиссия электронов, возбуждаемая переполяризацией 29
1.7. Распределение энергии электронов 34
1.8. «Сильная» эмиссия электронов из сегнетоэлектриков 35
1.9. Природа эмиссии электронов из сегнетоэлектриков 37
Глава 2. Кинетика электронной эмиссии 41
2.1.Описание методики исследования, эксспериментальной установки и объекта исследования
2.2. Кинетика электронной эмиссии из сегнетоэлектрического кристалла ТГС 44
2.3. Релаксация электронной эмиссии из кристаллов ТГС с дефектами 49
Глава 3. Влияние скорости нагрева на эмиссию электронов из сегнетоэлектриков 57
3.1. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе номинально чистого кристалла ТГС, нагреваемого с большой скоростью 57
3.2. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла ТГС с примесью хрома, нагреваемого с большой скоростью 64
3.3. Термостимулированная эмиссия электронов из кристаллов ТГС с примесью никеля 70
Глава 4. Влияние частоты переключающего поля на параметры эмиссии электронов из сегнетоэлектриков 75
4.1. Влияние частоты переключающего поля на пороговое поле эмиссии 75
4.2. Частотная зависимость коэрцитивного поля в сегнетоэлектриках 78
Выводы 84
Литература 85
