ВВЕДЕНИЕ .................................................................................................................................... 4
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ ............................................................................................. 15
§1.1 Атомные процессы на ростовой кристаллической поверхности .............................. 15
§1.2 Атомистическая теория скоростей зародышеобразования ....................................... 22
§1.3 Структура атомно-чистой поверхности Si(111) ......................................................... 26
1.3.1 Эффект эшелонирования атомных ступеней на поверхности Si(111) ............. 26
1.3.2 Атомная структура поверхности Si(111)-(7×7) .................................................. 27
§1.4 Эпитаксиальный рост Si и Ge на атомно-чистой поверхности Si(111)-(7×7) ......... 29
§1.5 Эпитаксиальный рост в присутствии сурфактантных покрытий ............................. 37
§1.6 Структурные изменения на поверхности Si(111) при адсорбции покрытий Sn ..... 45
§1.7 Выводы ........................................................................................................................... 50
ГЛАВА 2. АППАРАТУРА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ ................................................. 52
§2.1 Сверхвысоковакуумная отражательная электронная микроскопия ......................... 52
2.1.1 Принципы устройства и работы ........................................................................... 52
2.1.2 Конструкция ростовых источников ..................................................................... 57
2.1.3 Методика подготовки и проведения in situ экспериментов .............................. 60
§2.2 Атомно-силовая микроскопия ..................................................................................... 62
§2.3 Выводы ........................................................................................................................... 65
ГЛАВА 3. 2D-ОСТРОВКОВЫЙ РОСТ НА АТОМНО-ЧИСТОЙ ПОВРЕХНОСТИ Si(111)-(7×7) ПРИ СУБМОНОСЛОЙНОМ ОСАЖДЕНИИ Si И Ge ................................................... 66
§3.1 Влияние моноатомных ступеней на зарождение 2D островков ............................... 69
§3.2 Роль нанокластеров в массопереносе на поверхности Si(111)-(7×7) ....................... 75
§3.3 Кинетика 2D-островкового зарождения и роста на поверхности Si(111)-(7×7) ..... 77
3.3.1 Рост Si на поверхности Si(111)-(7×7) .................................................................. 77
3.3.2 Рост Ge на поверхности Si(111)-(7×7) ................................................................. 79
§3.4 Выводы ........................................................................................................................... 83
ГЛАВА 4. СТРУКТУРНЫЕ И МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ ТРАНСФОРМАЦИИ НА ШИРОКИХ ТЕРРАСАХ ПОВЕРХНОСТИ Si(111), ИНДУЦИРОВАННЫЕ АДСОРБЦИЕЙ Sn ............................................................................... 84
§4.1 Реконструкция (√3×√3)-Sn на поверхности Si(111) ................................................... 86
4.1.1 Формирование реконструкции (√3×√3)-Sn при
