Введение
ГЛАВА 1. Некоторые физические методы создания, модификации и исследования полупроводниковых структур 13
1.1. Модификация и исследование полупроводниковых структур при облучении 13
1.1.1. Модификация многокомпонентных полупроводников пучками ионов 19
1.1.2. Нейтронное трансмутационное легирование кремния 21
1.1.3. Компьютерное моделирование процессов ионного и нейтронного облучения 23
1.2. Экспериментальные методы формирования полупроводниковых структур 29
1.2.1. Рост карбида кремния на кремнии методом молекулярно- пучковой эпитаксии...ЗО
1.2.2. Компьютерное моделирование процесса эпитаксии методом Монте-Карло 37
1.3. Цели работы 41
ГЛАВА 2. Физические модели и компьютерное моделирование процессов облучения полупроводниковых структур 43
2.1. Определение пороговых энергий смещения примесей Zn в GaAs и Sb в Si 43
2.2. Прецизионное введение примеси фосфора в кремний методом нейтронного трансмутационного легирования 59
2.3. Резюме 70
ГЛАВА 3. Физические модели и компьютерное моделирование эпитаксиального роста SIC/SI 73
3.1. Физическая модель и алгоритм моделирования молекулярно-пучковой эпитаксии SiC/Si 73
3.2. Влияние упругих напряжений за счет рассогласования параметров решеток в структурах SiC/Si 81
3.3. Самоорганизация кластеров на морфологических особенностях подложки кремния 84
3.4. Резюме 89
Заключение 92
Список литературы
