Введение
Глава 1. Радиационные воздействия и конструктивно технологические методы повышения радиационной стойкости биполярных и кмоп схем 10
1.1 Основные радиационные эффекты в элементах интегральных схем 10
1.1.1 Классификация радиационных эффектов 10
1.1.2 Действие облучения на кремниевые биполярные транзисторы 12
1.1.3 Действие облучения на кремниевые униполярные транзисторы 12
1.2 Особенности технологии изготовления КМОП БИС с повышенной радиационной стойкостью 13
1.2.1 Технологические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС 13
1.2.2 Повышение устойчивости КМОП-схем к импульсам ионизирующего излучения большой мощности 19
1.2.3 Влияние технологии формирования подзатворного диэлектрика на радиационную стойкость ИС 20
1.2.4 Методика контроля радиационной стойкости МОП структуры 22
1.3. Методы повышения радиационной стойкости биполярных ИС 25
1.3.1 Конструктивно-технологические методы повышения радиационной стойкости ТТЛШ ИС 27
1.3.2 Увеличение радиационной стойкости ТТЛШ БИС с помощью метода радиационно-термической отбраковки з
Глава 2. Обоснование выбора схемотехнических и топологических решений при проектировании ис типа 1273ее2т с повышенной радиационной стойкостью 35
2.1 Специфика проектирования ИС типа 1173ЕЕ2Т с повышенной радиационной стойкостью 35
2.2 Проектирование радиационно-стойких усилительных и дифференциальных каскадов 42
2.2.1 Усилительные каскады 42
2.2.2 Дифференциальные каскады 43
2.2.3 Влияние гамма излучения на шумовые характеристики дифференциального каскада 47
2.3 Проектирование радиационно-стойких интегральных операционных усилителей 48
2.3.1 Влияние гамма-излучения на параметры интегральных операционных усилителей 48
2.3.2 Критериальные параметры для оценки стойкости интегральных операционных усилителей 50
2.3.3 Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости ИОУ... 52
2.4 Выбор полупроводниковой структуры и состава необходимых элементов ИС
типаП73ЕЕ2Т 59
Глава 3. Анализ основных электрических параметров до и после испытаний на воздействие радиации на ис типа 1173ЕЕ2Т 68
3.1 Режимы и специфика работы ИС типа 1173ЕЕ2Т 68
3.1.1 Схема включения и блок-схема микросхемы 68
3.1.2 Импульсный источник питания +3,3 В 70
3.1.3 Импульсный источник питания +5 В 71
3.1.4 ШИМ-контроллеры источников питания +3,ЗВ и +5В 71
3.2 Характеристика разработанной ИС типа 1173ЕЕ2Т 74 3.3 Испытания на стойкость ИС типа 1173ЕЕ2Т к воздействию ионизирующего
излучения 80
3.3.1 Результаты испытаний ИС типа 1173ЕЕ2Т на стойкость к воздействию максимальной мощности экспозиционной дозы гамма-излучения 80
3.3.2 Результаты испытаний ИС типа 1173ЕЕ2Т на стойкость к воздействию экспозиционной дозы гамма-излучения 85
3.4 Оценка гамма-процентного ресурса ИС типа 1173ЕЕ2Т 87
3.5 Оценка гамма - процентного срока сохраняемости ИС типа 1173ЕЕ2Т 91
Глава 4. Способы отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем 95
4.1 Способ неразрушающего контроля качества на примере ИС типа К561ЛН2 97
4.2 Способ отбраковки потенциально ненадежных схем с помощью динамических токов потребления на примере ИС типа КР1533ЛН1 100
Основные выводы и результаты 104
Список литературы
