Введение
ГЛАВА 1. Методы контроля и оценки радиационной стойкости светодиодов на основе бинарных соединений тверда растворов а3в5 (обзор литературы) 9
Выводы 24
ГЛАВА 2. Теоретические основы методов контроля и оценки радиационной стойкости 26
2.1. ЭЛ из оптически активного слоя р-n- или гетероперехода в режиме малого уровня инжекции 26
2.2. ЭЛ из оптически активного компенсированного слоя в режиме высокого уровня инжекции 28
2.2.1. Излучательная и безызлучательная рекомбинация носителей при дрейфовом механизме переноса электрического тока в несобственном полупроводнике 29
2.2.2. Излучательная и безызлучательная рекомбинация при дрейфовом переносе носителей в изоляторе и собственном полупроводнике 31
2.2.3. Излучательная и безызлучательная рекомбинация носителей в компенсированном слое при преобладании диффузионного переноса 32
2.2.4. ЭЛ из оптически активных р+- и п+- низкоомных областей р+-п -п+-структуры.38
Выводы 41
ГЛАВА 3. Методы контроля и оценки радиационной стойкости светодиодов на основе алингапов галлия 43
3.1. Установки для облучения нейтронами и гамма квантами. Приборы и методы контроля радиационной стойкости 43
3.2. Радиационная деградация и радиационная стойкость светодиодов на основе алингапов (AlxGai.x)o,5lno,5P 46
3.3. Радиационная деградация и радиационная стойкость светодиодов на основе шггридов галлия AlyGai-YNAnxGai-xN/GaN Выводы 61
ГЛАВА 4. Методы исследования, оценки и повышения радиационной стойкости светодиодов из карбида кремния .63
4.1. Методы создания и оптимизация параметров светоизлучающих структур из карбида кремния 63
4.2. Исследование оптически активной области вольт-частотно-фарадными методами .64
4.3. Экспериментальные зависимости В АХ и силы света от флюенса нейтронного облучения 70
4.4. Использование токов монополярной и двойной инжекции в качестве метода контроля и оценки радиационной стойкости 75
Выводы 86
Заключение 88
Литература
