Введение
1. Методика эксперимента. метод импульсной абсорбционной спектроскопии на базе импульсных ускорителей электронов 16
1.1. Экспериментальная техника МИАС 17
1.1.1. Генераторы импульсных пучков электронов 17
1.1.2. Регулировка параметров ускорителя . 19
1.2. Абсорбционная спектроскопия с двойным (каскадным) возбуждением 21
1.3. Методика абсорбционной спектроскопии с временным разрешением (АСВР) 22
1.3.1. Установка на базе ЛУЭ 23
1.3.2. Установка "Импульс" 26
1.4. Выбор оптимального уровня сигнала 33
1.5. Анализ кинетики релаксации оптического поглощения 38
1.6. Возможности методики АСВР 41
2. Процессы образования радиационных дефжтов в пщочногалоидных кристаллах 45
2.1. Введение 45
2.2. Экситонные механизмы образования дефектов . 47
2.2.1. Диссоциативные механизмы образования дефектов 49
2.2.2. Механизмы потенциального смещения . 56
2.3. Распыление щелочногалоидных кристаллов фотонами и электронами 71
2.4. Влияние примесей гомологического аниона на процессы дефектообразования в ЩГК 75
2.5. Влияние гомологических катионных примесей на процессы образования стабильных и короткоживущих дефектов в ЩГК 100
2.6. Влияние температуры на процессы образования короткоживущих и стабильных пар в ЩГК 120
2.7. Некоторые соображения о механизмах образования френкелевских дефектов в ЩГК 132
2.8. Экспериментальное наблюдение эффекта "радиационной тряски" в ЩГК 138
Основные результаты главы 155
Движение зонных и автолокажзованных дырок в щеяочногмоидных кристаллах . 156
3.1. Движение нерелаксированных дырок при температурах ниже температуры делокализации \А -центров 156
3.2. Движение нерелаксированных дырок при температурах выше температуры делокализации VJ, -центров 163
3.3. Термически активированное движение дырок ( \/С-центров) в щелочногалоидных кристаллах 172
3.4. Модель термически активированного движения дырок в ЩГК 188
Основные результаты главы 194
4. Короткоживущйе состояния электронной и ионной 197
4.1. Энергетический выход радиолюминесценции 199
4.2. Влияние плотности возбуждения на сцинтилляционный процесс 212
4.3. Вклад различных механизмов передачи энергии в сцинтилляционныи импульс 235
4.3.1. Экситонный механизм передачи энергии 237
4.3.2. Электронно-дырочный механизм передачи энергии 241
4.3.2.1. Электронная рекомбинационная люминесценция без промежуточного захвата электрона (f1 ) 242
4.3.2.2. Дырочная рекомбинационная люминесценция (^ ) 243
4.3.2.3. Электронная рекомбинационная люминесценция (f>z ) 250
4.3.3. Электронно-дырочный механизм передачи энергии. Сцинтилляторы на основе кристаллов со структурой CsCt 258
4.4. Роль короткоживущих состояний в сцинтилляционном процессе и требования к системе кристалл-активатор 275
Основные результаты главы 282
Заключение 283
Список литературы
