Введение
Глава 1 Рост тонких пленок металлов кеморезистивный эффект в полупроводниках 10
1.1 Формирование топких пленок металлов 11
1.1.1 Классические модели роста тонких пленок 11
1.1.2 Модель структурных зон 13
1.1.3 Теоретические модели и методы моделирования роста тонких пленок 19
1.1.4 Молекулярно-динамическое моделирование роста тонких пленок 22
1.1.5 Исследования тонких пленок свинца 29
1.2 Хеморезистивные свойства тонких полупроводниковых пленок 31
1.2.1 Адсорбционный отклик 31
1.2.2 Зависимость чувствительности от размера зерен . 36
1.2.3 Влияние паров воды на проводимость полупроводниковых слоев 39
1.3 Заключение 41
Глава 2 Криоформирование наноструктурных пленок свинца на нейтральных (неориентирующих) подложках и их электрофизические свойства 43
2.1 Методы получения и исследования 44
2.1.1 Вакуумное осаждение металлов 44
2.1.2 Измерение электропроводности 47
2.1.3 Атомно-силовая микроскопия 49
2.2 Результаты 50
2.2.1 Получение и электропроводность пленок различных металлов па поверхности полк-тг-ксилилеиа 50
2.2.2 Получение и электропроводность островков ых пленок свинца на поверхности окиси алюминия и стекла . 57
2.3 Обсуждение результатов 64
2.3.1 Влияние природы подложки 64
2.3.2 Высокий порог перколяции 66
2.3.3 Связь скорости конденсации и микроструктуры пленки 70
2.3.4 Изменение структуры при отжиге конденсатов . 73
2.3.5 Адсорбционный отклик 75
2.4 Заключение 76
Глава 3 Молекулярно-динамическое моделирование роста пленок свинца при вакуумном осаждении 78
3.1 Методика расчета 79
3.1.1 Метод температурно-ускоренной динамики TAD . 80
3.1.2 Моделирование осаждения атомов: МД + TAD . 84
3.1.3 Многочастичный потенциал межатомного взаимодействия Pb-Pb 86
3.1.4 Оценка, электропроводности методом Фогельхольма . 88
3.2 Результаты и их обсуждение 91
3.2.1 Диффузия атомов свинца на поверхности Pb(100) . 91
3.2.2 Зависимость структуры конденсата и порога перколя- ции от температуры подложки 91
3.2.3 Зависимость структуры конденсата и порога перко- ляции от скорости осаждения и кинетической энергии атомов 93
3.3 Заключение 96
Выводы
