Люминесценция ионно-имплантированных широкозонных полупроводниковых соединений GaN и ZnSe

Хасанов Ильдар Шамильевич. Люминесценция ионно-имплантированных широкозонных полупроводниковых соединений GaN и ZnSe : ил РГБ ОД 61:85-1/375
Автор
Хасанов Ильдар Шамильевич
Год

  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Литературный обзор 10
Глава 2. Методика экспериментов 53
Глава 3. Исследование катодолюшшесценции йонно-имплантированных слоев нитрида галлия 64
Глава 4. Исследование люшнесценцйй ионно-имплантированных слоев селенида цинка 105
Заключение 139
Литература

Рекомендуем вам товары

Ядерные квадрупольные взаимодействия и ядерная магнитная релаксация в области спин-переориентационных переходов на примере некоторых ортохромитов
99 000 UZS
Автор
Ткаченко Александр Андреевич
Количество страниц
Год
Исследование характеристик основного состояния 3d-переходных металлов и их сплавов методом функционала электронной плотности
99 000 UZS
Автор
Хон Юрий Андреевич
Количество страниц
Год
Роль радиационно-стимулированных процессов в изменении механических свойств нержавеющих сталей
99 000 UZS
Автор
Цепелев Аркадий Борисович
Количество страниц
Год
Короткоживущие состояния электронной и ионной подсистем и радиационные процессы в щелочногалоидных кристаллах
99 000 UZS
Автор
Чернов Станислав Александрович
Количество страниц
Год
Полные неприводимые представления пространственных групп и их применение в теории фазовых переходов
99 000 UZS
Автор
Чечин Георгий Михайлович
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3