Введение
1. Методы исследования 11
1.1. Общая характеристика методов 11
1.1.1, Краткое описание часто используемых измерительных систем 14
1.2. Угловые зависимости спектров ЭПР 15
1.3. Спин-решеточная релаксация в магнитно разбавленных кристаллах 24
1.3.1. Спиновая подсистема в поле фонопов 24
1.4. Механизмы спин-решеточного взаимодействия 29
1.4.1. Прямой процесс 29
1.4.2. Двухфононные релаксационные процессы 32
1.4.3. Процесс Орбаха-Аминова 33
1.4.4. Рамановские релаксационные процессы 34
1.5. Релаксация через вибронные состояния кристалла 37
1.5.1. Релаксация через колебательные уровни 39
1.5.2. Кросс-релаксация 39
2. Электронная структура лантаноидов в фосфиде индия 44
2.1. Краткий обзор результатов 44
2.2. ЭПР и парамагнитная релаксация кубического центра иттербия 47
2.3. ЭПР и парамагнитная релаксация аксиального центра иттербия. Проявления деградации 51
2.4. Фотолюминесценция иттербия в фосфиде индия 56
2.5. ЭПР эрбия в фосфиде индия 59
2.6. ЭПР гадолиния в фосфиде индия 62
3. Обменные взаимодействия в InP:Ln 68
3.1. Обменные взаимодействия в кристаллах InP:Yb 68
3.2. Обменные взаимодействия в InP:Eu 72
3.2.1. Предварительные результаты 72
3.2.2.. Результаты исследований эффекта Мессбауэра 73
3.2.3. Результаты магнетохимических исследований 73
3.2.4. Результаты исследований рентгеновского анализа и оже - спектров 77
3.2.5. Угловая зависимость ЭПР 79
3.2.6. Температурные зависимости ЭПР. Параметры обмена европия в InP. 83
4. Состояния марганца в арсениде галлия 86
4.1. Литературный обзор 87
4.2. Характеристика образцов 95
4.3. ЭГТР марганца в арсениде галлия 98
4.3.1. ЭПР нейтральных центров марганца 98
4.3.2. Ионизованные состояния марганца 108
4.3.3. Состояния марганца в полуизолирующих кристаллах GaAs 117
4.3.4.Компенсация образцов р-типа проводимости. Межузельные центры марганца 121
5. Динамика состояний марганца в арсениде галлия 139
5.1. СРР ионизованного состояния 139
5.2. Электронная релаксация нейтрального состояния марганца 143
5.3. Ядерная спин-решеточная релаксация в GaAs:Mn 150
5.4. Люминесценция кристаллов GaAs:Mn... 155
5.5. Оптическое поглощение кристаллов GaAs. Переходы зона - уровень 163
6. Взаимодействия между центрами марганца 178
6.1. Перезарядка состояний марганца в арсениде галлия 178
6.2. Обменные взаимодействия в кристаллах GaAstMn 193
Заключение 199
