Математическое моделирование нелинейных процессов и усиления сигналов в сильносвязанных полупроводниковых сверхрешетках с учетом внешних резонансных систем

Макаров Владимир Владимирович. Математическое моделирование нелинейных процессов и усиления сигналов в сильносвязанных полупроводниковых сверхрешетках с учетом внешних резонансных систем: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 05.13.18 / Макаров Владимир Владимирович;[Место защиты: Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.], 2016.- 145 с.
Автор
Макаров Владимир Владимирович
Год
2023
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
1 Математическая модель и программный пакет для исследования динамики полупроводниковой сверхрешетки. Высокочастотный импеданс полупроводниковой сверхрешетки под внешним воздействием 20
1.1 Введение 20
1.2 Математическая модель нестационарного транспорта заряда в полупроводниковой сверхрешетке 22
1.3 Численная модель нестационарного транспорта заряда в полупроводниковой сверхрешетке 28
1.4 Программный пакет для исследования динамики полупроводниковой сверхрешетки 34
1.5 Высокочастотный импеданс полупроводниковой сверхрешетки под внешним гармоническим воздействием 36
1.6 Выводы к главе 1 41
2 Математическая модель и нелинейная динамика полупроводниковой сверхрешетки, помещенной во внешнюю резонансную систему 43
2.1 Введение 43
2.2 Математическая модель и программный пакет для исследования динамики полупроводниковой сверхрешетки, связанной с внешним добротным резонатором 44
2.3 Нелинейная динамика и характеристики генерации при изменении напряжения питания сверхрешетки 47
2.4 Переход к хаосу в полупроводниковой сверхрешетке, помещенной во внешний резонатор 53
2.5 Метод расчета показателей Ляпунова для сверхрешетки в резонаторе 61
2.6 Характеристики генерации при изменении управляющих параметров внешнего резонатора 68
2.7 Влияние добротности внешнего резонатора на характеристики генерации полупроводниковой сверхрешетки 79
2.8 Выводы к главе 2 84
3 Усиление сигналов в полупроводниковой сверхрешетке, помещенной во внешнюю добротную резонансную систему 86
3.1 Введение 86
3.2 Усиление сигналов в автономной полупроводниковой сверхрешетке 87
3.3 Усиление внешних сигналов в полупроводниковой сверхрешетке, во внешнем добротном резонаторе 92
3.4 Высокочастотный импеданс полупроводниковой сверхрешетки, находящейся во внешнем добротном резонаторе 99
3.5 Выводы к главе 3 108
Математическое моделирование полупроводниковой сверхрешетки, взаимодействующей с паразитным резонатором. Сопоставление с натурным экспериментом 110
4.1 Введение 110
4.2 Математическая модель полупроводниковой сверхрешетки, взаимодействующей с паразитным резонатором 111
4.3 Моделирование динамики системы с учетом паразитного резонатора. 114
4.4 Сопоставление численного моделирования с натурным экспериментом 118
4.5 Выводы к главе 4 124
Заключение 125
Литература 129

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Михеев Петр Андреевич
Количество страниц
Год
2016
99 000 UZS
Автор
Нгуен Ван Дык
Количество страниц
Год
2025
99 000 UZS
Автор
Муратов Максим Викторович
Количество страниц
Год
2016
99 000 UZS
Автор
Лагунов Никита Алексеевич
Количество страниц
Год
2016
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3