Введение
1. Анализ современных представлений о свойствах индивидуальных компонентов гетерогенной системы "щелочногало идный кристалл - воздух" 10
1.1. Структура и объемные свойства щелочногалоидных кристаллов 10
1.2. Структура и энергетические характеристики поверхности щелочногалоидных кристаллов 18
1.3. Радиационные и фотохимические процессы на поверхности щелочногалоидных солей 28
1.4. Радиационно-химические процессы в воздухе 38
2. Объекты и методы эксперимента 42
2.1. Подготовка объектов исследования 42
2.2. Дозиметрия источников излучения. Методы анализа облученных щелочногалоидных солей 48
3. Радиационно-химическое окисление поверхности щелочных иодидов 60
3.1. Спектрально-химическое определение продуктов окисления щелочных иодидов 60
3.2. Природа оксиданта и стехиометрия гетерогенного окисления 65
3.3. Кинетические закономерности процесса 76
3.4 Исследование радиационного окисления иодида рубидия 84
3.5. Радиационное окисление иодидов натрия и цезия 95
4. Моделирование процесса радиолиза воды на поверхности щелочногалоидных кристаллов 99
4.1. Определение природы активных частиц 100
4.2. Оценка диффузионного смещения свободных электронов и дырок до рекомбинации 104
4.3. Экспериментальное определение глубины выхода электронно-дырочных пар 109
4.4. Взаимодействие воды с решеточными возбуждениями 118
4.5. Радиолиз воды на поверхности кристаллов хлорида и бромида калия 129
5. Термостимулированная люминесценция щелочногалоидных дисперсий 136
5.1. Влияние состояния поверхности на термостимулиро-ванную люминесценцию кристаллов 138
5.2. Зависимость светосуммы люминесценции от радиуса кристаллов 144
5.3. Экспериментальное исследование поверхностной локализации электронных центров 150
6. Механизм радиационно-стимулированного нитрования поверхности ионных кристаллов 168
7. Перспективы практического использования результатов исследования 180
Заключение 186
