Введение
Глава 1. Методы получения полупроводниковых гетероструктур A2inB3VI-AniBv 9
1.1. Перспективы использования полупроводников АШВ 9
1.2. Физико-химические процессы на реальной поверхности арсенида галлия и арсенида индия 11
1.3. Методы халькогениднои пассивации полупроводников AmBv 14
1.4. Свойства полупроводниковых соединений типа Аг n,B3VI...17
1.5. Технология гетеровалентного замещения 20
1.6. Кинетика гетерогенных процессов 23
Выводы 32
Глава 2. Физико-химический процесс гетеровалентного замещения анионов в соединениях Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs 33
2.1. Кристаллическая структура соединений Ga2Se3-GaAs Hln2Se3-InAs 33
2.2. Экспериментальное исследование начальной стадии процесса гетеровалентного замещения 52
Выводы 59
Глава 3. Кинетическая модель процесса гетеровалентного замещения анионов в системе A2inB3VI - AniBv 60
3.1. Физическая модель процесса гетеровалентного замещения анионов при получении гетероструктур A2mB3VI-AinBv 60
3.2. Кинетическая модель начальной стадии процесса гетеровалентного замещения 65
3.3. Перераспределение примесей в неоднородных твердых растворах на границе раздела в гетероструктурах А2шВзУ1-АшВу 68
3.4. Кинетическая модель планарного роста пленок А2ІПВ3У1 на подложках АШВУ при гетеровалентном замещении 75
Выводы 90
Основные выводы 91
Литература 93
