Введение
Глава 1. Методы расчета электронной структуры кристаллических твердых тел 17
1.1 Основные положения теории функционала плотности 18
1.2 Приближение локальной плотности 22
1.3 Вычислительные схемы, выходящие за рамки приближения локальной плотности 23
Глава 2. Метод обобщенного переходного состояния 31
2.1 Метод переходного состояния Слэтера 31
2.2 Формализм функций Ванье 36
2.3 Обобщение переходного состояния Слэтера 43
Глава 3. Апробация метода обобщенного переходного состояния: расчет электронной структуры и полной энергии 48
3.1 Электронная структура различных типов диэлектриков в методе ОПС 53
3.1.1 Диэлектрик с ионной связью MgO 53
3.1.2 Полупроводник с ковалентной связью Si 57
3.1.3 Пайерлсовский диэлектрик ВаВіОз 60
3.1.4 Диэлектрик с режимом переноса заряда NiO .
3.2 Спиновый переход в гематите РегОз 70
3.2.1 Кристаллическая структура и параметры метода ОПС для модели всестороннего сжатия . 72
3.2.2 Расчет электронной структуры гематита под давлением 76
Глава 4. Формирования диэлектрического состояния в моноклинной фазе VO2 и в Ті20з 82
4.1 Диэлектрическое состояние VO2 в моноклинной фазе 83
4.1.1 Расчет электронной структуры VO2 в моноклинной фазе в приближении локальной плотности 86
4.1.2 Расчет электронной структуры У02 в моноклинной фазе методом обобщенного переходного состояния 88
4.2 Диэлектрическое состояние Ті20з 91
4.2.1 Расчет электронной структуры Ті20з в приближении локальной плотности 92
4.2.2 Расчет электронной структуры Ті20з методом обобщенного переходного состояния 94
Глава 5. Переход металл-диэлектрик в тригидриде лантана ЬаНз-я при изменении концентрации водорода 98
5.1 Расчет электронной структуры стехиометрического тригидрида лантана 101
5.2 Расчет электронной структуры тригидрида лантана при наличии водородных вакансий 103
5.3 Описание перехода металл-диэлектрик в тригидриде лантана ЬаНз х 105
Заключение 111
Литература 114
