Введение
Глава 1. Микроплазменные процессы формирования покрытий 15
1.1. Классификация энергетических процессов в растворах 15
1.2. Методы исследования микроплазменных процессов нанесения покрытий в растворах
1.2.1. Метод «формовочных» кривых 22
1.2.2. Метод статических вольтамперных характеристик 27
1.2.3. Метод динамических вольтамперных характеристик 28
1.2.4. Метод нагрузочных характеристик источника энергетического воздействия 31
1.3. Наноразмерная локализация энергии высокой плотности
на границе фаз 33
1.4. Приборы и методы исследования сильнотоковых процессов в растворах электролитов 36
1.5. Сравнительный анализ методов исследования микроплазменных процессов нанесения покрытий в растворах 39
Выводы 41
Глава 2. Математическое моделирование процесса формирования покрытий при импульсном энергетическом воздействии 43
2.1. Моделирование начальных стадий формирования покрытия при высоковольтном сильноточном импульсном воздействии 43
2.2. Разработка модели микроплазменной системы в терминах электрических величин 61
2.3. Модель микроплазменной системы 65
2.4. Проверка адекватности модели
2.5. Управление качеством микроплазменного покрытия 83
2.6. Задача определения рациональной частоты дискретизации и числа уровней квантования измеряемых
электрических сигналов 92
2.7. Метод измерения параметров модели 93
Выводы 97
Глава 3 Разработка и исследование преобразователей для измерения импульсных токов 100
3.1 Параметры сигнала тока микроплазменной системы 100
3.2. Сравнительный анализ датчиков тока 103
3.3. Резистивные преобразователи тока 107
3.3.1. Разработка конструкции резистивного преобразователя ток-напряжение 115
3.4. Расчет параметров и моделирование магнитного поля коаксиального шунта 116
3.4.1.Расчет механических и электрических параметров коаксиальных шунтов 116
3.4.2. Программа для расчета параметров коаксиальных шунтов... 119
3.4.3. Расчет паразитной индуктивности методом конечных элементов 124
3.5. Исследование динамических характеристик коаксиальных шунтов 129
3.5.1. Экспериментальные исследования динамических характеристик коаксиального шунта 137
3.6. Поверка шунтов на основе метода обратного преобразования 149
3.7. Система измерения больших токов (СИБТ) 155
Выводы 158
Глава 4 Разработка и исследование средств измерений высокого напряжения 160
4.1. Параметры сигнала напряжения микроплазменного процесса 160
4.2. Ограничения при измерении импульсных напряжений с помощью осциллографов 162
4.3. Усилители-ограничители 167
4.4. Компьютерная система измерений 180
4.5. Метрологические характеристики компонентов системы для измерения напряжения 186
Выводы 194
Глава 5 Принципы проектирования измерительных систем для контроля и управления процессом формирования покрытий 196
5.1. Концепция системы контроля и управления технологическим процессом формирования микроплазменных покрытий 196
5.2. Структура информационной измерительной системы 200
5.3. База данных системы 203
5.4. Модульный подход к программированию 206
5.5. Измерительная информационная система 208
5.6. Автоматизированный способ идентификации металлов и сплавов.. 215
5.7. Модульная система для измерения удельной электрической проводимости раствора для микроплазменного оксидирования 225
5.8. Источники энергетического воздействия
5.8.1. Структурная схема мощного источника питания 235
5.8.2. Маломощный источник энергетического воздействия 238
5.9. Формирователи формы сигнала энергетического воздействия 240
5.10. Микропроцессорный интегрирующий измерительный
преобразователь 246
Выводы 251 Заключение 252
Литература 254
