Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда

Сошников, Александр Игоревич. Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Сошников Александр Игоревич; [Место защиты: Моск. ин-т стали и сплавов].- Москва, 2011.- 115 с.: ил. РГБ ОД, 61 11-1/917
Автор
Сошников, Александр Игоревич
Год
2011

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами
99 000 UZS
Автор
Усикова, Анна Александровна
Количество страниц
Год
2011
Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
99 000 UZS
Автор
Сидоров, Георгий Юрьевич
Количество страниц
Год
2011
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
99 000 UZS
Автор
Заварин Евгений Евгеньевич
Количество страниц
Год
2008
Экситонные и плазмонные эффекты в неидеальных вюрцитных полупроводниковых кристаллах и наноструктурах
99 000 UZS
Автор
Шубина, Татьяна Васильевна
Количество страниц
Год
2008
Исследование физических свойств ВТСП купратов в рамках модели сверхпроводящего спаривания с отталкивательным взаимодействием
99 000 UZS
Автор
Софронов Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2007
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3