Введение
Глава 1. Особенности и моделирование физических процессов в GaAs и Si полевых транзисторах, подвергающихся нейтронному воздействию 11
1.1 Обзор физических эффектов в GaAs и Si полевых транзисторах 11
1.2 Моделирование физических процессов в GaAs полевых транзисторах, подвергающихся нейтронному воздействию с учётом ионизации 17
Выводы к Главе I 41
Перечень цитированных источников к введению и главе I 43
Глава 2. Расчетно-экспериментальный метод контроля параметров полевых СВЧ транзисторов Шоттки «до» и «после» нейтронного воздействия 49
2.1 Метод контроля коэффициентов усиления и шума транзисторов на основе комплекса физико-топологических численной и аналитической моделей полевых транзисторов Шоттки «до» и «после» воздействия нейтронного излучения 49
2.1.1 Математическая модель и методы экспериментальных исследований 55
2.1.2 Сравнение результатов эксперимента и расчета 57
2.2 Обработка экспериментальных данных с применением доверительной области. 65
Выводы к Главе 2 68
Перечень цитированных источников к Главе 2 69
Глава 3. Расчетно-экспериментальный метод контроля коэффициента шума полевых СВЧ транзисторов Шоттки «в момент» нейтронного воздействия 71
3.1 Исследование поведения полевых транзисторов Шоттки «в момент» воздействия нейтронного излучения. 71
3.2 Описание и практическая реализация расчетно экспериментального метода определения коэффициента шума СВЧ полевых транзисторов Шоттки «в момент» нейтронного облучения на основе физико-топологического моделирования . 76
Выводы к Главе 3 94
Перечень цитированных источников к Главе 3 95
Глава 4. Расчетно-экспериментальный метод контроля сечения сбоев интегральных схем при стационарном нейтронном воздействии в области малых значений энергий частиц 99
4.1 Оценка вероятности сбоя ИС при воздействии тяжёлых заряженных частиц и быстрых нейтронов с использованием физико - топологического моделирования 99
4.2 Метод определения минимального значения флюенса частиц, достаточного для генерации сбоев GaAs СВЧ и Si КНИ КМОП интегральных схем при стационарном нейтронном облучении 108
Выводы к Главе 4 129
Перечень цитированных источников к Главе 4 130
Заключение 132
Список сокращений и условных обозначений 133
Приложение: Акт внедрения результатов диссертации № 195-95-29 2920-1 134
