Введение
1. Современные полупроводниковые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением и перспективы их развития 9
1.1. Приборы и структуры с отрицательным дифференциальным сопротивлением 9
1.2. Полупроводниковые приборы с N-образными вольт-амперными характеристиками 16
1.3. Выводы. Постановка задачи 29
2. Методики моделирования и экспериментального исследования фоточувствительных N-приборов 31
2.1 Физико-топологическое моделирование характеристик негатронов .31
2.2 Схемотехническое моделирование негатронов 43
2.3 Механизмы поглощения света в полупроводниковых негатронах 45
2.4 Методы экспериментального исследования фоточувствительных негатронов с N-образной В АХ 50
3. Моделирование и исследование фоточувствительных биполярно-полевых негатронов с шунтированием эмиттерного перехода 55
3.1 Моделирование и исследование МДП-биполярного негатрона 55
3.2 Исследование фоточувствительности МДП-биполярного негатрона...62
3.3 Выводы 71
4. Моделирование и исследование фоточувствительных- биполярных N-приборов с управляемой вольт-амперной характеристикой 73
4.1 Моделирование и исследование статических характеристик фоточувствительных биполярных негатронов 73
4.2 N Моделирование и исследование динамических характеристик фоточувствительных биполярных негатронов 82
4.3 Спектральные характеристики биполярных N-приборов 89
4.4 Температурные характеристики фоточувствительных биполярных N-приборов 90
4.5 Выводы 97
5. Фоточувствительные N-приборы с расширенными функциональными возможностями и их применение 99
5.1 Биполярно-полевые N-приборы с симметричной В АХ 99
5.2 Биполярные N-приборы с симметричной ВАХ 107
5.3 N-транзисторные оптроны 115
5.4 Полупроводниковый позиционный датчик ИК излучения 121
5.5 Выводы 125
Заключение 127
Список литературы 130
