Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения

Зебрев Геннадий Иванович. Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01.- Москва, 2003.- 126 с.: ил. РГБ ОД, 61 03-5/3796-2
Автор
Зебрев Геннадий Иванович
Год
2003

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Кремниевые функционально-интегрированные пиксельные структуры координатных детекторов радиационных частиц
99 000 UZS
Автор
Сычевский Виталий Алексеевич
Количество страниц
Год
2003
Физико-химические и технологические основы получения полиимидных структур для микроэлектронных устройств, устройств микромеханики и микросенсорики
99 000 UZS
Автор
Жуков Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2003
Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии
99 000 UZS
Автор
Трунин Дмитрий Александрович
Количество страниц
Год
2003
Предельные напряжения двух и трехмерных p-n переходов в высоковольтных полупроводниковых приборах
99 000 UZS
Автор
Шалимов Олег Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Формирование поверхностей заданного профиля методами термопластического и упругого изгиба и нанесение на них многослойных наноструктур для систем управления рентгеновским излучением
99 000 UZS
Автор
Ахсахалян Арам Давидович
Количество страниц
Год
2002
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3