Введение
Глава 1 Обзор литературы 20
1.1 Аналитические модели роста 20
1.1.1 Общие проблемы кристаллизации 20
1.1.2 Рост вицинальных граней 22
1.1.3 Модель Косселя и Странского 23
1.1.4 Количественная теория Беккера и Деринга 25
1.1.5 Понятие о поверхностной миграции 26
1.1.6 Проблема двумерного зародышеобразования 26
1.1.7 Теория дислокационного роста 27
1.1.8 Модель роста поверхности в режиме step — flow . 28
1.1.9 Проблема устойчивости ступени в режиме step — flow 31
1.1.10 Модель роста поверхности в режиме kink — flow . 33
1.1.11 Устойчивость ступени в режиме kink — flow 34
1.2 Компьютерные модели роста 36
1.2.1 Модели эпитаксиального роста 36
1.2.2 Кинетическая модель роста Solid-on-Solid 38
Выводы к первой главе 42
Глава 2 Модель эпитаксиального роста поверхности 44
2.1 Вицинальная поверхность 44
2.1.1 Модель вицинальной поверхности 44
2.1.2 Граничные условия 44
2.2 Параметры расчетной модели 46
2.2.1 Краевая диффузия 46
2.2.2 Энергетические параметры модели 48
2.2.3 Значения параметров модели 50
2.3 Компьютерная модель 53
2.3.1 Размер моделируемой поверхности 53
Выводы ко второй главе 57
Глава 3 Результаты моделирования 58
3.1 Общие результаты моделирования 58
3.2 Анализ условий устойчивости 64
3.2.1 Влияние "двоек" на устойчивость роста ступени . 64
3.2.2 Качественная оценка темпа образования "двоек" . 73
Выводы к третьей главе 75
Глава 4 Формирование одномерных зародышей 76
4.11 атом на ступени 76
4.2 Слипание атомов на ступени 78
Выводы к четвертой главе 86
Глава 5 Исследование процессов роста на поверхностях разориентированных в направлении [010] 88
5.1 Выбор направления разориентации 88
5.2 Влияние краевой диффузии 88
5.3 Влияние анизотропии 91
5.4 Роль массива волнообразных ступеней в формировании одно родного массива квантовых точек 94
5.4.1 Экспериментальные данные 94
Выводы к пятой главе 104
Заключение 105
Список работ автора 107
Литература
