Модифициронанные фототепловые методы для определения электронных и тепловых параметров полупроводниковых материалов

Лапшин, Константин Владимирович. Модифициронанные фототепловые методы для определения электронных и тепловых параметров полупроводниковых материалов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07.- Москва, 2000.- 20 с.: ил.
Автор
Лапшин, Константин Владимирович
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Исследование параметров ангармонического парного потенциала в соединениях цинка по дальней тонкой структуре рентгеновских спектров поглощения
99 000 UZS
Автор
Недосейкина, Татьяна Ивановна
Количество страниц
Год
2000
Неустойчивости и катастрофы при ориентационных эффектах в жидких кристаллах
99 000 UZS
Автор
Нерсисян, Сарик Ромикович
Количество страниц
Год
2000
Физические основы прогнозирования разрушения гетерогенных материалов
99 000 UZS
Автор
Савельев, Владимир Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Фрактальный анализ наноструктур аморфных пленок на основе данных дифракции электронов и рентгеновских лучей
99 000 UZS
Автор
Саврасова Наталья Александровна
Количество страниц
Год
2000
Кинетика спекания, структура и физические свойства сегнетокерамики твердых растворров ЦТС, полученной с использованием высокого давления холодного прессования
99 000 UZS
Автор
Савчук, Галина Казимировна
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3