Введение
ГЛАВА 1. Влияние дефектов роста на свойства пленок AN 11
1.1. Основные методы роста пленок А N материалов 11
1.2. Дефекты в пленках А N материалов 15
1.3. Точечные дефекты и проблемы легирования 17
1.4. Влияние дефектов на оптические свойства нитридагаллия 18
1.5. Влияние дефектов на электрические свойства нитридагаллия 23
1.6. Атомно-силовая микроскопия (АРМ) поверхности на различных стадиях роста пленочных гетероструктур на основе GaN 26
1.7. Воздействие на морфологию и характеристики структур на основе GaN в процессах травления 30
1.8. Омические контакты (ОК) кр-GaN 32
1.9. Электронные приборы на основе пленок AIUN материалов 36 Выводы к главе 1 40
ГЛАВА 2. Применение методов ионно-лучевого распыления, сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии для анализа дефектов роста в GaN 42
2.1. Использование остросфокусированного ионного пучка (метод FIB) для анализа AmN материалов 42
2.2. Сравнительный анализ поперечных сечений и дефектов роста в пленках GaN, полученных методами сканирующей электронной микроскопии 47
2.3. Ионно-лучевая установка 50
2.4. Послойный анализ структурных особенностей плёнок GaN при ионно-лучевом стравливании 52
2.5. Методы контроля свойств пленок 58
2.6 Моделирование процесса ионного облучения нитрида галлия медленными ионами 59
Выводы к главе 2 62
ГЛАВА 3. Эволюция рельефа поверхности эпитаксиальных слоев нитрида галлия в условиях периодического ионно-лучевого осаждения-распыления 63
3.1. Классификация дефектов роста в GaN на основе их распределения по глубине и размерам 63
3.2. Процессы сглаживания поверхности и заращивания мелких дефектов при длительном распылении 64
3.3. Механизм заполнения областей протяжённых дефектов при периодическом ионно-лучевом осаждении- распылении 67
3.4. Роль нелокальных процессов в механизме заращивания сквозных дефектов 75
3.5. Выводы к главе 3 80
ГЛАВА 4. Применение метода периодического ионно-лучевого осаждения-распыления в технологии изготовления омических контактов к р-слоям нитрида галлия и формирования подложек для пленочных структур спинтроники 81
4.1. Минимизация влияния сквозных дефектов на постростовые операции осаждения-распыления 81
4.2. Способ изготовления прозрачного омического контакта BeO/Au/BeO/p-GaN 82
4.3. Технология изготовления омических контактов кр-GaN слоям 86
4.4. Подложки для структур спинтроники на основе эпитаксиальных пленок нитридных полупроводников 92
4.5. Получение наноразмерных спинтронных структур Со/ТіОх на сглаженной поверхности GaN 97
Заключение 102
Благодарности 104
Бибилиографический список 105
Список использованных источников 105
