Введение
Глава 1, Эпитаксиальиая и тонкопленочная технологии в современной микроэлектронике 10
1.1. Эпитаксия и эпитаксиальные технологии 10
1.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия 18
1.3. Тонкопленочная технология 23
1.4. Формирование наноструктур методом МЛЭ и перспективы их применения 26
1.5. Молекулярно-динамическое моделирование эпитаксиальных процессов 29
Заключение 32
Глава 2, Алгоритм и программа молекулярно-динамического моделирования процесса роста наноструктур из атомного пучка 34
2.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия как частный случай процессов взаимодействия пучков материальных частиц с твердыми поверхностями 34
2.2. Метод изотермической молекулярной динамики 36
2.3. Учет поля твердой поверхности 45
2.4. Алгоритм программы для молекулярно-динамического моделирования роста наноструктур из атомного пучка 48
2.5. О программе моделирования 56
Глава 3. Результаты молекулярно-динамического моделирования процессов взаимодействия атомных пучков с твердыми поверхностями 65
3.1. Исследование роли основных параметров системы «леннард-джонсовский атомный пучок-леннард-джонсовская подложка» на структурные и морфологические характеристики островков 65
3.1.1. Роль энергии пучка 67
3.1.2. Влияние дискретной структуры подложки 75
3.1.3. Влияние температуры подложки 81
3.1.4. Роль энергетического параметра подложки 89
3.1.5. Влияние диаметра атомного пучка 94
3.1.6. О влиянии количества атомов, испущенных за один импульс 96
3.2. Молекулярно-динамическое моделирование процесса роста германиевых островков на поверхности монокристаллического кремния с использованием специфических многочастичных потенциалов межатомного взаимодействия 102
3.2.1. Потенциал Стиллинджера-Вебера 104
3.2.2. Потенциал Терсоффа 106
3.3. Сравнение структур, полученных методом эпитаксиального роста и кристаллизации нанокапель в силовом поле твердой поверхности 110
Заключение 117
Основные результаты и выводы 119
Список литературы 121
