Введение
Глава 1. Эпитаксия соединений AnBVI на подложках из GaAs. (Обзор литературы) 10
1.1 Эпитаксия CdTe на подложках GaAs 10
1.2 Эпитаксия CdTe на подложках InSb(001) 15
1.3 Гетеропитаксия широкозонных полупроводников 19
1.4 Диффузия Ga в пленку AnBVI из подложки GaAs 27
Глава 2. Методика эксперимента 30
2.1 Методика эпитаксиального роста 30
2.2 Методика определения состава 31
2.3 In situ методы исследования при гетероэпитаксии соединений AnBVI 32
2.3.1 Дифракция электронов высокой энергии на отражение 33
2.3.1.1 Дифракция на вицинальных поверхностях 36
2.3.1.2 Дифракция на двойниках. 36
2.3.1.3 Дифракция на одномерных объектах 40
2.3.2 Эллипсометрические исследования роста соединений AnBVI in situ 42
2.3.2.1 Оптические модели растущего слоя. Моделирование эволю ции эллипсометрических параметров в процессе роста 43
2.2.2 Измерение температуры эллипсометрическим методом 50
Глава 3. Влияние промежуточных соединений на структуру и состав гетероперехода ZnSe/GaAs(112)B . 62
3.1 Кристаллохимическое рассмотрение взаимодействия компо- 62 нентов гетеросистемы ZnSe/GaAs
3.2 Экспериментальные результаты 66
3.2.1 Предэпитаксиальная подготовка 66
3.2.2 Рост пленок ZnSe 75
3.2.3 Влияние условий роста на морфологию поверхности CdZnTe(112)B . 82
3.3 Исследование гетероструктур ZnSe/GaAs( 112)В 84
3.3.1 Растровая электронная микроскопия гетеросистемы ZnSe/GaAs(112)B 84
3.3.2 Изучение состава гетероперехода ZnSe/GaAs( 112)В методом РФЭС 90
3.4 Сравнение экспериментальных результатов с кристаллохимическим рассмотрением 92
Глава 4. Гетероэпитаксия CdZnTe/GaAs(310). 96
4.1 Введение 96
4.2 Морфология поверхности (310) 97
4.2.1 Предэпитаксиальная подготовка 97
4.2.2 Эпитаксия теллуридов цинка и кадмия 99
4.3 Внедрение Ga в пленку из подложки при гетероэпитаксии 102
4.3.1 Эксперимент 103
4.3.2 Влияние условий роста на состав гетероструктуры ZnTe/GaAs(310) 105
4.4 Кинетика начальных стадий роста пленок ZnTe на подложках GaAs(310) и Si(310) 118
4.4.1 Определение скорости роста и плотности пленок на начальных стадиях роста из эллипсометрических измерений in situ 119
4.4.2 Лимитирующие процессы при гетероэпитаксии ZnTe на GaAs(310) 125
4.4.3 Лимитирующие процессы при гетероэпитаксии ZnTe на Si(310) 131
Основные положения и результаты (выводы) 135
Заключение 137
Список цитированной литературы 139
