Введение
1 Анализ современного состояния в области создания малошумящих усилителей и встроенных антенн диапазона 57-64 ГГЦ 13
1.1 Основные характеристики усилителей 15
1.2 Технологии и полупроводниковые материалы для создания СВЧ транзисторов 20
1.3 Коммерчески доступные аналоги МШУ диапазона 57-64 ГГц 29
1.4 Микрополосковые антенны 40
1.5 Заключение 45
2 Разработка малошумящего усилителя 46
2.1 Моделирование активных и пассивных элементов 46
2.2 Исследования транзисторов
2.2.1 Исследования статических и СВЧ параметров НЕМТ на гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN/Сапфир 53
2.2.2 Исследование статических характеристик изготовленных образцов транзисторов на гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN/Сапфир 55
2.2.3 Исследование СВЧ параметров изготовленных образцов транзисторов на гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN/Сапфир 2.3 Использование сквозных отверстий и заземляющей плоскости на нитриде галлия на подложке сапфира 63
2.4 Построение моделей транзисторов на широкозонных гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN 2.4.1 Построение нелинейной модели транзистора Fujii 65
2.4.2 Построение шумовой линейной модели транзистора Поспешальского
2.5 Электродинамическое моделирование малошумящего усилителя 73
2.6 Моделирование антенны 77
2.7 Топология полной СнК 80
2.8 Технологические этапы изготовления малошумящего усилителя со встроенной антенной 81
2.9 Заключение 92
3 Измерения параметров антенны и пассивных элементов 93
3.1 Исследования пассивных тестовых элементов 93
3.2 Измерения диаграммы направленности антенны 95
4 Измерения параметров мис 98
4.1 Измерения параметров малошумящих усилителей 98
4.2 Измерения параметров малошумящего усилителя со встроенной антенной 101
4.3 Сравнение результатов разработанного усилителя с мировыми аналогами 105
Заключение 107
Обозначения и сокращения 109
Список используемых источников
