Введение
Глава 1. Физико-химические особенности процессов плазмохимического травления 11
1.1. Анизотропное травление 12
1.2. Удаление и травление фоторезиста 30
1.3. Влияние плазменных обработок на зарядовые характеристики структур 38
1.4. Безэлектродный разряд низкого давления 45
Глава 2. Плазмохрімическое удаление фоторезиста вне зоны локализации разряда 58
2.1. Особенности ПХУ фоторезиста в системах с индивидуальной обработкой пластин 58
2.2. Исследование характера локализации плазмы при высоком давлении 65
2.3. Разработка реактора высокого давления для ПХУ фоторезиста с пластин большого диаметра 75
Глава 3. Реактор высокоплотной плазмы и технологические процессы реализуемые в нем 99
3.1. Исследование ВЧ-разряда низкого давления в системе с индукторным возбуждением 99
3.2. Оптимизация технологического процесса ПХУ фоторезиста в реакторе высокоплотной плазмы 113
3.3. Удаление органо - неорганических остатков после реактивно — ионного травления технологических слоев 128
3.4. Изотропное травление диэлектрика 133
Глава 4. Реактор и технологические процессы иошо-стимулированного травления 138
4.1. Реактор с активизацией газа при низком давлении и независимым смещением на подложке 138
4.2. Разработка технологического процесса анизотропного травления кремния 144
4.3. Теоретический расчет профиля травления канавок в кремнии...154
4.4. Сухое проявление фоторезистивных пленок 160
Основные результаты и выводы 170
Литература 173
Приложения 187
