Введение
Глава 1. Структура, оптические и электрофизические свойства германия и арсенида галлия. Методы получения полупроводников в различном структурном состоянии 13
1.1. Кристаллическая и атомная структура германия и арсенида галлия 13
1.2. Методы получения германия и арсенида галлия в различном структурном состоянии 22
1.2.1. Метод аморфизации монокристалла бомбардировкой ионами инертных газов (ионная имплантация) 22
1.2.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия 23
1.2.3. Метод распыления порошков или мишени материала 24
1.3. Методы анализа атомной структуры германия и арсенида галлия и изучение их электрофизических и фотоэлектрических свойств 26
1.3.1. Рассеяние рентгеновских лучей, электронов и нейтронов.26
1.3.2. EXAFS-анализ локальной атомной структуры 28
1.3.3. Локальная атомная структура Ge и GaAs в кристаллическом и аморфном состояниях по EXAFS-данным, опубликованным в литературе 37
1.3.4. Электрофизические и фотоэлектрические свойства германия и арсенида галлия в зависимости от их структурного состояния и методы их исследования 43
1.4. Выводы по главе 1, постановка цели и задач 51
Глава 2. Экспериментальные методики получения и исследования германия и арсенида галлия в различных структурных состояниях 54
2.1. Получение германия и арсенида галлия в различных структурных состояниях 54
2.2. Исследование макро- и микроструктуры полученных пленок и порошков Ge и GaAs 66
2.2.1. Дифракция рентгеновских лучей 67
2.2.2. Просвечивающая электронная микроскопия 72
2.2.3. Атомная силовая микроскопия 75
2.3. Исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств пленок германия и арсенида галлия 81
2.4. Обобщение результатов и выводы по главе 2 85
Глава 3. EXAFS исследования локальной атомной структуры германия и арсенида галлия в различных структурных состояниях 87
3.1. Методика EXAFS эксперимента 87
3.2. Предварительная математическая обработка EXAFS- спектров 94
3.3. Локальная атомная структура поликристаллических, аморфных и нанокомпозитных пленок и порошков германия 102
3.4. Локальная атомная структура арсенида галлия в кристаллическом состоянии и нанокомпозитных пленок 109
3.5. Применение метода EXAFS спектроскопии для определения долей кристаллической и аморфной составляющих в негомогенных однокомпонентных полупроводниках на примере германия 118
3.6. Обобщение результатов и выводы по главе 3 122
Глава 4. Обобщение и обсуждение всех результатов исследований 123
Заключение 127
Литература 129
