Введение
Глава 1. Оптимизация конструктивных параметров НЕМТ транзисторов для улучшения нелинейных характеристик усилителей на их основе 20
1.1. Физические основы работы НЕМТ транзисторов 21
1.2. Нелинейная аналитическая модель НЕМТ транзистора 29
1.3. Методика моделирования коротко-канальных эффектов в НЕМТ транзисторах 41
1.4. Методика интеграции модели НЕМТ транзистора в среду схемотехнического проектирования OrCad 9.2 45
1.5. Оптимизация конструктивных параметров НЕМТ транзисторов для улучшения нелинейных характеристик усилителей на их основе 50
Выводы 60
Глава 2. Влияние конструктивных параметров НЕМТ транзисторов на шумовые характеристики усилителей на их основе 62
2.1. Шумовая модель НЕМТ транзистора с учётом короткоканальных эффектов 62
2.2. Влияние толщины спейсера и донорного слоя на минимальный коэффициент шума усилителя при проведении оптимизации конструктивных параметров транзистора для улучшения нелинейных характеристик 70
Выводы 71
Глава 3. Экспериментальное исследование воздействия СКИ на НЕМТ транзисторы 74
3.1. Результаты эксперимента по контактному воздействию СКИ на НЕМТ транзисторы 75
3.2. Результаты эксперимента по воздействию СКИ на НЕМТ транзисторы в широкополосной коаксиальной нагрузке 79
3.3. Физические механизмы обратимых отказов GaAs полевых транзисторов под действием сверхкоротких импульсов 82
Выводы 90
Глава 4. Объёмный заряд в подложке НЕМТ транзистора под воздействием СКИ 92
4.1 Моделирование процессов в двумерной полупроводниковой структуре с гетеропереходом 92
4.2. Модель GaAs НЕМТ транзистора для исследования образования объёмного заряда в полуизолирующей подложке ... 101
4.3. Моделирование процесса образования объёмного заряда в подложке НЕМТ транзистора при воздействии СКИ 105
Выводы 106
Заключение 111
Библиографический список использованной литературы 113
