Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
Гагис, Галина Сергеевна. Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гагис Галина Сергеевна; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН].- Санкт-Петербург, 2010.- 156 с.: ил. РГБ ОД, 61 11-1/1035
