Введение
Глава I. Литературный обзор
1.1 Газовые включения в монокристаллах, выращиваемых из расплава 12
1.2 Пузырьки в парателлурите 25
1.3 Физические и химические свойства парателлурита и расплава диоксида теллура 30
Глава II. Исследования монокристаллов парателлурита с газовыми включениями
2.1 Определение давления газа в пузырьках 33
2.2 Оптические исследования пузырьков 35
2.3 Рассеяние света кристаллами парателлурита с пузырьками 44
2.4 Дислокации и механические напряжения вблизи пузырьков 67
Глава III. Влияние условий роста на захват газовых включений. Действие отжига на включения в твердой фазе
3.1 Особенности выращивания монокристаллов парателлурита способом Чохральского 75
3.2 Влияние чистоты исходного сырья 79
3.3 Анализ механизмов диффузионного роста пузырьков, их коалесценции и захвата кристаллами парателлурита 82
3.4 Причины секториального распределения газовых включений по пирамидам роста сингулярных граней 86
3.5 Измерения электропроводности расплава диоксида теллура в связи с проблемой подавления конвекции магнитным полем 97
3.6 Огранение, распад и движение пузырьков при отжиге в поле температурного градиента 105
Глава IV. Условия синтеза парателлурита без пузырьков
4.1 Устойчивость и форма фронта кристаллизации 141
4.2 Режимы конвекции. Вихри Тейлора 126
4.3 Оптимальные кинематические и температурные параметры роста 134
Выводы 140
Список литературы 142
