Введение
Глава 1. Описание рассеяния электронов атомами в многоатомных системах при расчете K-XAFS спектов ІЗ
1.1 Приближение учета процессов электронного рассеяния малой кратности атомами вещества 13
1.2 Построение МТ-потенциала многоатомных систем для расчета K-XAFS спектров атомов в исследуемых соединениия 22
1.3 Получение атомной части сечения фотопоглощения ао1{с) из экспериментальных ТІ К-XANES спектров 34
1.4 Определение параметров структуры с помощью FEFFIT при использовании Хартри-Фоковских фаз и амплитуд рассеяния ... 39
1.5 Комплекс программ для прямого расчета и Фурье-анализа рентгеновских спектров поглощения атомов в веществе 43
1.6 Выводы 46
Глава 2. Механизмы формирования Ті К - XANES в различных кристаллических соединениях 47
2.1 Ті- и О K-XANES спектры кристалла SrTiOj 47
2.2 Определение структурных параметров ближнего окружения атома Ті в кристалле SrTiOjj.c помощью Ті K-XANES спектра 54
2.3 Расчет Ті K-XANES спектра в модельном кристалле CaTiSiO 59
2.4 Вы воды 67
Глава 3. Определение параметров локальной атомной структуры из K-XANES спектров Ті содержащих соединений 68
3.1 Определение параметров ближнего окружения атома Ті в титанитовом стекле и двух модификациях радиационно-поврежденного кристалла CaTiSiOs 68
3.2. Oпределение параметров ближнего окружения атома Ті в натиситовом стекле 77
3.3 Выводы 91
Выводы 93
Приложение 1 96
Приложение 2 97
Приложение 3 98
Приложение 4 99
Публикации автора 100
Список основной использованной
Литературы и неопубликованных документов (источников) 102
