Введение
Глава 1. Литературный обзор 11
1.1. Получение массивов квантовых точек 11
1.1.1. История создания квантовых точек и методы их формирования... 11
1.1.2. Влияние условий роста на параметры массивов квантовых точек... 21
1.2.Свойства самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs 25
1.2.1. Электронные и оптические свойства квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом МПЭ 25
1.2.2. Получение длинноволнового излучения (Л=1.3 - 1.55 мкм) в структурах с квантовыми точками InAs/GaAs. Влияние покрывающих слоев и материала матрицы на свойства квантовых точек 28
1.2.3. Температурные зависимости фотолюминесценции квантовых точек 31
1.2.4. Механизмы захвата и рекомбинации носителей заряда в квантовых точках 40
1.3. Применение квантовых точек. Лазерные характеристики 42
Глава 2. Экспериментальное оборудование и методы 46
2.1. Рост гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии 47
2.2. Экспериментальные методы исследований гетероструктур 47
Глава 3. Метаморфные квантовые точки -получение излучения в диапазоне 1.3-1.55 мкм 50
3.1. Метод уменьшения плотности дефектов 51
3.2. Влияние количества осажденного InAs:
оптические и структурные свойства 55
3.3. Влияние состава матрицы и заращивающего слоя: оптические и структурные свойства 61
3.4.Энергетическая диаграмма носителей заряда в квантовых точках InAs, сформированных в метаморфной матрице 68
3.5.Температурные зависимости фотолюминесценции - сравнение с квантовыми точками InAs, сформированными в матрице GaAs 71
Глава 4. Метод управления энергетическим спектром состояний носителей заряда в квантовых точках 81
4.1. Влияние заращивающих слоев AlAs и InAlAs: оптические и структурные свойства 82
4.2. Неравновесный характер распределения носителей заряда в квантовых точках InAs при комнатной температуре 92
4.3. Исследование возможности длинноволнового сдвига максимума фотолюминесценции квантовых точек InAs/InAlAs 102
4.3.1.Влияние состава заращивающего слоя InAlAs на длину волны излучения квантовых точек InAs/InAlAs 102
4.3.2.Влияние количества осажденного InAs на длину волны излучения квантовых точек InAs/InAlAs 105
Глава 5. Применение метода управления энергетическим спектром состояний носителей заряда для мстаморфных квантовых точек 110
5.1. Влияние состава матрицы и заращивающего слоя: оптические и структурные свойства 110
5.2. Температурные зависимости интенсивности фотолюминесценции -сравнение с метаморфными квантовыми точками InAs/InGaAs 120
Заключение 126
Список литературы 132
