Введение
1. Некоторые оптоэлектронные свойства квантово- размерных гетероструктур In(Ga)As/GaAs 9
1.1. Методы диагностики энергетического спектра ГНС 10
1.2. Квантово-размерный эффект Штарка в ГКЯ 15
1.3. Квантово-размерный эффект Штарка в ГКТ 18
1.4. Температурная зависимость фоточувствительности от КТ 28
2. Методика исследования 35
2.1. Модельные гетеронаноструктуры GaAs/In(Ga)As с КЯ и КТ 35
2.2. Фотоэлектрическая спектроскопия на барьерах ГНС с металлом и электролитом 40
2.3. Вольтамнерные и вольтфарадные характеристики барьеров 49
2.4. Особенности влияния электрического поля на спектры фоточувствительности ГНС 55
3. Квантово-размерный эффект штарка в гетеронаноструктурах с квантовыми ямами 68
3.1. Квантово-размерный эффект Штарка в ГКЯ в системе полупроводник/электролит 68
3.2. Оптический модулятор на одной КЯ 75
3.3. Квантово-размерный эффект Штарка в ГКЯ при низких температурах 86
4. Квантово-размерный эффект штарка и температурная зависимость фотоэлектрических спектров в гетеронаноструктурах с квантовыми точками 96
4.1. Квантово-размерный эффект Штарка на барьерах ГКТ с металлом и электролитом. Дипольный момент КТ 96
4.2. Влияние параметров тонкого двойного покровного слоя GaAs / InxGabXAs 104 на дипольный момент КТ
4.3. Температурная зависимость фотоэлектрических спектров в ГКЯ и ГКТ GaAs/In(Ga)As 110
Заключение 121
Список публикаций по теме диссертации 125
Литература 128
