Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией

Куницын Александр Евгеньевич. Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Санкт-Петербург, 2002.- 117 с.: ил. РГБ ОД, 61 03-1/893-X
Автор
Куницын Александр Евгеньевич
Год
2002

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs
99 000 UZS
Автор
Морозов Сергей Вячеславович
Количество страниц
Год
2022
Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости
99 000 UZS
Автор
Мурашова Алена Владимировна
Количество страниц
Год
2002
Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V
99 000 UZS
Автор
Максимов Кирилл Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
99 000 UZS
Автор
Лобода, Вера Владимировна
Количество страниц
Год
2000
Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: =0,78 - 1,3 мкм
99 000 UZS
Автор
Лившиц Даниил Александрович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3